HMC8500 RF Amplifiers

Analog Devices Inc. HMC8500 RF Amplifiers are gallium nitride (GaN), broadband power amplifiers. The amplifiers deliver >10W with up to 55% power added efficiency (PAE) and ±1.0dB typical gain flatness across a 0.01GHz to 2.8GHz instantaneous bandwidth. The HMC8500 series provides a 41dBm high-saturated output power from a 28V at 100mA supply voltage. In addition, the amplifiers offer a 4.5dB noise figure, 47dBM third-order intercept (OIP3), and 10dB return loss.

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 Fabricante
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Qtde RoHS Modelo ECAD Frequência operacional
Tensão de alimentação operacional
Corrente de Alimentação Operativa
Ganho
NF - Figura de ruído
Tipo
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Tecnologia
OIP3 - Interceptação do terceiro pedido
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Série
Embalagem
Analog Devices Amplificadores de RF High Power GaN Amps- 10W 1 - 2.5GHz PA
Ficha técnica
Tempo de conclusão 10 semanas
Mín.: 1
Mult.: 1

10 MHz to 2.8 GHz 28 V 100 mA 15 dB 4.5 dB Power Amplifiers SMD/SMT LFCSP-32 GaN 47 dBm - 40 C + 85 C HMC8500 Cut Tape
Analog Devices Amplificadores de RF High Power GaN Amps- 10W 1 - 2.5GHz PA
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 10 semanas
Mín.: 500
Mult.: 500
Bobina: 500

10 MHz to 2.8 GHz 28 V 100 mA 15 dB 4.5 dB Power Amplifiers SMD/SMT LFCSP-32 GaN 47 dBm - 40 C + 85 C HMC8500 Reel