MMDT5551HE3 Dual NPN Transistor

Micro Commercial Components (MCC) MMDT5551HE3 Dual NPN Transistor is an AEC-Q101 qualified small-signal Bipolar Junction Transistor (BJT) with a 600mA collector current. This BJT features a 180V collector-base voltage, 160V collector-emitter voltage, 6V emitter-base voltage, 200mA collector power dissipation and comes in a SOT-363 package. The MMDT5551HE3 transistor also features a 6pF maximum output capacitance, 300MHz maximum transition frequency, and a -55°C to 150°C operating junction temperature range. This BJT adheres to Moisture Sensitivity Level 1 (MSL 1), and the epoxy meets the UL 94V-0 flammability rating. The MMDT5551HE3 transistor is lead-free, halogen-free, and RoHS-compliant.

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 Fabricante
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Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Configuração
Corrente do coletor DC máxima
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor
Coletor VCBO de voltagem básica
Emissor - VEBO de tensão de base
Tensão de saturação do coletor - emissor
Pd - Dissipação de potência
Produto fT da largura de banda de ganho
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Série
Embalagem
Micro Commercial Components (MCC) Transistores bipolares de junção - BJT
Ficha técnica
2 959Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3 000

MMDT5551 Reel, Cut Tape

Micro Commercial Components (MCC) Transistores bipolares de junção - BJT 200mA 160V
Ficha técnica
5 780Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3 000

Si SMD/SMT SOT-363-6 NPN Dual 200 mA 160 V 180 V 6 V 150 mV 200 mW 300 MHz - 55 C + 150 C MMDT5551 Reel, Cut Tape, MouseReel