CoolGaN™ G3 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ G3 Transistors are designed to deliver superior performance in high-power density applications. These transistors feature a very low on-state resistance, enabling efficient power conversion and reduced energy losses. Available in four voltage options (60V, 80V, 100V, or 120V), the Infineon CoolGaN G3 Transistors deliver ultra-fast switching with an ultra-low gate/output charge. The transistors are housed in compact PQFN packages, which enhance thermal management and support dual-side cooling, ensuring reliable operation even under demanding conditions. These features make CoolGaN G3 Transistors a top choice for applications such as telecom, data center power supplies, and industrial power systems.

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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (EUR) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Qg - Carga na porta
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Modo de canal
Nome comercial
Infineon Technologies FETs GaN CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm
Ficha técnica
8 919Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 5 000

SMD/SMT 1 Channel 120 V 71 A 3.7 mOhms 6.5 V 2.9 V 13 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FETs GaN CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm
Ficha técnica
3 840Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 5 000

SMD/SMT 1 Channel 100 V 38 A 7 mOhms 6.5 V 2.9 V 6.1 nC - 40 C + 150 C 23 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FETs GaN CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm
Ficha técnica
3 399Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 5 000

SMD/SMT 1 Channel 100 V 23 A 11 mOhms 6.5 V 2.9 V 3.4 nC - 40 C + 150 C 15 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FETs GaN CoolGaN Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.3 mohm
Ficha técnica
3 577Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 5 000

SMD/SMT 1 Channel 60 V 99 A 1.9 mOhms 6.5 V 2.9 V 13 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FETs GaN CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm
Ficha técnica
6 355Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 5 000

SMD/SMT 1 Channel 80 V 86 A 2.5 mOhms 6.5 V 2.9 V 12 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FETs GaN MV GAN DISCRETES
Ficha técnica
2 250Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 5 000

SMD/SMT PG-VSON-4 HEMT 1 Channel 100 V 23 A - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 3.4 nC - 40 C + 150 C 15 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FETs GaN MV GAN DISCRETES
Ficha técnica
5 415Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 5 000

SMD/SMT PG-VSON-6 HEMT 1 Channel 100 V 76 A 3.3 mOhms - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 11 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FETs GaN MV GAN DISCRETES
Ficha técnica
1 225Em estoque
10 000Esperado 23/02/2026
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 5 000

SMD/SMT PG-TSON-6 HEMT 1 Channel 100 V 76 A 3.3 mOhms - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 11 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN