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NTBG060N065SC1

Name: onsemi NTBG060N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBG060N065SC1
Price: 9.86 EUR
Availability: InStock

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Nº da Mouser:

863-NTBG060N065SC1

Nº do fabricante:

NTBG060N065SC1

Fabricante.:

onsemi

Descrição:

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V

Ficha técnica:

NTBG060N065SC1 Ficha técnica

Modelo ECAD:

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Qtde	Preço unitário	Ext. Preço
	9,86 €	9,86 €
	6,85 €	68,50 €
	5,80 €	580,00 €
	5,42 €	2 710,00 €
Bobina cheia (pedidos em múltiplos de 800)
	5,42 €	4 336,00 €

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Atributo de produto	Valor do atributo	Selecionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoria de produto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montagem:	SMD/SMT
Caixa / Gabinete:	D2PAK-7
Polaridade do transistor:	N-Channel
Número de canais:	1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte:	650 V
Id - Corrente de drenagem contínua:	46 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência:	70 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte:	- 8 V, + 22 V
Tensão de limite porta e fonte:	4.3 V
Qg - Carga na porta:	74 nC
Temperatura operacional mínima:	- 55 C
Temperatura operacional máxima:	+ 175 C
Pd - Dissipação de potência:	170 W
Modo de canal:	Enhancement
Nome comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuração:	Single
Tempo de queda:	11 ns
Transcondutância em avanço - Mín:	12 S
Embalagem:	Reel
Embalagem:	Cut Tape
Tipo de Produto:	SiC MOSFETS
Tempo de ascensão:	14 ns
Série:	NTBG060N065SC1
Quantidade do pacote de fábrica:	800
Subcategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Tempo de retardo de desligamento típico:	24 ns
Tempo típico de ativação/retardo :	11 ns

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Ficha técnica

NTBG060N065SC1 Ficha técnica

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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