Parece que você desabilitou JavaScript no seu navegador. Algumas funções nesta página não funcionarão, a menos que você acesse.

Voltar para os Resultados da Pesquisa

Identificou algum erro?

CGHV59070F

Name: MACOM CGHV59070F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV59070F
Price: 690.02 EUR
Availability: InStock

As imagens são apenas para referência
Veja as especificações do produto

Nº da Mouser:

941-CGHV59070F

Nº do fabricante:

CGHV59070F

Fabricante.:

MACOM

Descrição:

FETs GaN GaN HEMT 4.4-5.9GHz, 70 Watt

Ficha técnica:

CGHV59070F Ficha técnica (PDF)

Modelo ECAD:

Baixe o aplicativo gratuito Library Loader para converter este artigo para sua ferramenta ECAD. Saiba mais sobre o Modelo ECAD.

Mais informações

Saiba mais sobre MACOM CGHV59070F

Em estoque: 29

Estoque:: 29 Pode ser enviado imediatamente

Ocorreu um erro inesperado. Tente novamente mais tarde.
Tempo de entrega da fábrica:: 26 semanas Tempo estimado de produção de fábrica para quantidades acima do indicado.

Digite a quantidade:

Mínimo: 1 Vários: 1

Preço unitário:

-,-- €

Ext. Preço:

-,-- €

Est. Tarifa:

A remessa deste produto é GRATUITA

Preços (EUR)

Qtde	Preço unitário	Ext. Preço
	690,02 €	690,02 €
	606,64 €	6 066,40 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo de produto	Valor do atributo	Selecionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoria de produto:	FETs GaN
RoHS:
Estilo de montagem:	Screw Mount
Caixa / Gabinete:	440224
Polaridade do transistor:	N-Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte:	150 V
Id - Corrente de drenagem contínua:	6.3 A
Temperatura operacional mínima:	- 40 C
Temperatura operacional máxima:	+ 150 C
Marca:	MACOM
Ganho:	14 dB
Frequência operacional máxima:	5.9 GHz
Frequência operacional mínima:	4.4 GHz
Potência de saída:	76 W
Embalagem:	Tray
Tipo de Produto:	GaN FETs
Quantidade do pacote de fábrica:	25
Subcategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Tipo de transistor:	GaN HEMT
Vgs - Tensão de ruptura porta e fonte:	- 10 V, 2 V
Peso unitário:	7,797 g

Produtos encontrados:

Para mostrar produtos similares, selecione pelo menos uma opção

Selecione pelo menos uma caixa de seleção acima para mostrar produtos similares nesta categoria.

Atributos selecionados: 0

Filtrar documento:

Ficha técnica

CGHV59070F Ficha técnica (PDF)

PCN

Esta funcionalidade requer o JavaScript para ser habilitada.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CGHV59070 70W RF Power GaN HEMT

MACOM CGHV59070 RF Power Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) provides a general-purpose, broadband solution to a variety of RF and microwave applications. Operating from a 50V rail, the module delivers high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities. This 70W internally matched GaN HEMT is ideal for linear and compressed amplifier circuits. MACOM CGHV59070 70W RF Power GaN HEMT is offered in a 440224 package.