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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (EUR) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Qg - Carga na porta
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Modo de canal
Embalagem

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Ficha técnica
272Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms - 10 V, 10 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Ficha técnica
240Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 69 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Ficha técnica
316Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 68.5 A 41 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Ficha técnica
318Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 50 A 41 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Ficha técnica
151Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms - 10 V, 10 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Ficha técnica
136Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 69 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube