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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (EUR) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Estilo de montagem
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Wolfspeed Módulos MOSFET SiC, Module, 3.3mohm, 650V, TM, Automotive
Ficha técnica
300Esperado 13/11/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit N-Channel 1 Channel 650 V 440 A 4.1 mOhms - 8 V, 19 V 3.6 V - 40 C + 175 C
Wolfspeed Módulos MOSFET SiC, Module, 3.3mohm, 650V, TM, Automotive, Long Phase Terminals
Ficha técnica
300Esperado 13/11/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit N-Channel 1 Channel 650 V 440 A 4.1 mOhms - 8 V, 19 V 3.6 V - 40 C + 175 C
Wolfspeed Módulos MOSFET SiC, Module, 4.6mohm, 1200V, TM, Automotive
Ficha técnica
300Esperado 27/11/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit N-Channel 1 Channel 1.2 kV 320 A 6.3 mOhms - 8 V, 19 V 3.6 V - 40 C + 175 C
Wolfspeed Módulos MOSFET SiC, Module, 4.6mohm, 1200V, TM, Automotive, Long Phase Terminals
Ficha técnica
300No pedido
Mín.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit N-Channel 1 Channel 1.2 kV 320 A 6.3 mOhms - 8 V, 19 V 3.6 V - 40 C + 175 C