CoolSiC™ Automotive 750V G1 SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 750V G1 SiC Trench MOSFETs help EV makers create 11kW and 22kW bidirectional onboard chargers with increased efficiency, power density, and reliability. These devices operate reliably at high temperatures (Tj,max +175°C), featuring Infineon’s proprietary. XT die attach technology for best-in-class thermal impedance for an equivalent die size.

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Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (EUR) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Tipo de Produto
Tecnologia
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
Ficha técnica
147Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC AUTOMOTIVE_SICMOS
Ficha técnica
341Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC AUTOMOTIVE_SICMOS
Ficha técnica
141Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC AUTOMOTIVE_SICMOS
Ficha técnica
226Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC AUTOMOTIVE_SICMOS
Ficha técnica
201Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC AUTOMOTIVE_SICMOS
Ficha técnica
288Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC AUTOMOTIVE_SICMOS
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 22 semanas
Mín.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC AUTOMOTIVE_SICMOS
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 26 semanas
Mín.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel