NVMFWS003N10MCT1G

onsemi
863-VMFWS003N10MCT1G
NVMFWS003N10MCT1G

Fabricante.:

Descrição:
MOSFETs PTNG 100V STD SO8FL HE

Modelo ECAD:
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Atributo de produto Valor do atributo Selecionar atributo
onsemi
Categoria de produto: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFNW-5
N-Channel
1 Channel
100 V
169 A
3.1 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
62 nC
- 55 C
+ 175 C
194 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marca: onsemi
Configuração: Single
Tempo de queda: 14 ns
Transcondutância em avanço - Mín: 150 S
Tipo de Produto: MOSFETs
Tempo de ascensão: 15 ns
Série: NVMFWS003N10MC
Quantidade do pacote de fábrica: 1500
Subcategoria: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tempo de retardo de desligamento típico: 46 ns
Tempo típico de ativação/retardo : 28 ns
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Atributos selecionados: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

NVMFWS003N10MC Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi NVMFWS003N10MC Single N-Channel Power MOSFETs offer a 169A continuous drain current, 3.1mΩ at 10V RDS(ON), and 100V drain-to-source voltage. The NVMFWS002N10MCL is available in a 5mm x 6mm flat lead package developed for compact and efficient designs. The onsemi AEC-Q101-qualified MOSFET is PPAP-capable and ideal for automotive applications.