CoolSIC MOSFETs de SiC

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 Fabricante
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Qtde RoHS Modelo ECAD Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Qg - Carga na porta
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Modo de canal
Nome comercial
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
Ficha técnica
909Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 2 kV 123 A 16.5 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 246 nC - 55 C + 150 C 552 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
Ficha técnica
599Em estoque
960Esperado 02/03/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 2 kV 89 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 137 nC - 55 C + 150 C 576 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
Ficha técnica
128Em estoque
480Esperado 10/12/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 2 kV 34 A 98 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 64 nC - 55 C + 150 C 267 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
Ficha técnica
10Em estoque
1 440No pedido
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 2 kV 48 A 64 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 348 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
Ficha técnica
4 353Esperado 02/07/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 2 kV 26 A 131 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 217 W Enhancement CoolSIC