Resultados: 6
Selecionar Imagem Número de peça Fabricante Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (EUR) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade. Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia Estilo de montagem Polaridade do transistor Número de canais Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte Id - Corrente de drenagem contínua Rds On - Fonte de drenagem na resistência Vgs - Voltagem de porta e fonte Tensão de limite porta e fonte Temperatura operacional mínima Temperatura operacional máxima Pd - Dissipação de potência Embalagem
onsemi Módulos MOSFET Silicon Carbide (SiC) Module EliteSiC, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new Tim, 4-PACK Full Bridge Topology, F2 Package
20Esperado 24/11/2026
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2

SiC Press Fit N-Channel 4 Channel 1.2 kV 105 A 16 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 244 W Tray
onsemi Módulos MOSFET Silicon Carbide (SiC) Module, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new TIM, TNPC Topology in F2 Package
20Esperado 24/11/2026
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2

SiC Press Fit N-Channel 4 Channel 1.2 kV 91 A 16 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 272 W Tray
onsemi Módulos MOSFET 15 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new TIM, 4-PACK Full Bridge Topology,F1Package
28Esperado 13/10/2026
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3

SiC Press Fit N-Channel 4 Channel 1.2 kV 77 A 19 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 198 W Tray
onsemi Módulos MOSFET EliteSiC, 6 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package
28Esperado 16/02/2027
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3

SiC Press Fit N-Channel 2 Channel 1.2 kV 200 A 9 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 333 W Tray
onsemi Módulos MOSFET EliteSiC, 6 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package
28Esperado 16/02/2027
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3

SiC Press Fit N-Channel 2 Channel 1.2 kV 240 A 9 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 500 W Tray
onsemi Módulos MOSFET EliteSiC, 8 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package
28Esperado 16/02/2027
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3

SiC Press Fit N-Channel 2 Channel 1.2 kV 145 A 10.9 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 382 W Tray