STMicroelectronics IGBTs de 650V HB Serie Porta de Trincheira - Fechamento de Campo
Os IGBTs STMicroelectronics 650 V HB Séries Trench Gate Field-Stop são IGBTs desenvolvidos com uma estrutura trench gate e camada field stop avançada patenteada. Estes dispositivos representam o compromisso ideal entre a condução e perdas de comutação para maximizar a eficiência de qualquer conversor de frequência. Com Tecnologia de Alta Velocidade Field-Stop Threch-Gate avançada da ST, estes IGBTs têm um desligador de calda corrente de coletor mínimo assim como tensão de saturação muito baixa (Vce(sat)) diminui para 1.6 V (típico), minimizando perdas de energia durante alternâncias e quando é ligado. Adicionalmente, um VCE ligeiramente positivo(sat) coeficiente de temperatura e distribuição do parâmetro muito estreito resulta em uma operação paralela mais segura.
The HB2 series is an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behavior at low current values, and in terms of reduced switching energy. A diode used for protection purposes only is co-packaged in antiparallel with the IGBT. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for a wide range of fast applications.
Recursos
- Maximum junction temperature:
- TJ = 175°C
- High-speed switching series
- Minimized tail current
- Very low saturation voltage
- Tight parameters distribution
- Safe paralleling
- Low thermal resistance
- Very fast soft recovery anti-parallel diode
- Lead-free package
Aplicações
- Photovoltaic inverters
- High frequency converters
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Developed using an advanced proprietary trench gate and field stop structure.
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