MOSFETs CoolSiC™ 650 V G2

Os MOSFETs CoolSiC ™ 650 V G2 da Infineon Technologies  aproveitam as capacidades de desempenho do carbeto de silício ao permitir uma menor perda de energia, o que se traduz em maior eficiência durante a conversão de energia.  Os MOSFETs Infineon CoolSiC 650 V G2 oferecem benefícios para diversas aplicações de semicondutores de potência, como fotovoltaicos, armazenamento de energia, carregamento de veículos elétricos em corrente contínua, acionamentos de motores e fontes de alimentação industriais. Uma estação de carregamento rápido em corrente contínua para veículos elétricos equipada com CoolSiC G2 permite até 10% menos perda de energia do que gerações anteriores, ao mesmo tempo que possibilita uma capacidade de carregamento mais alta sem comprometer os formatos físicos.

Resultados: 53
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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (EUR) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Qg - Carga na porta
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Modo de canal
Nome comercial
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Ficha técnica
1 165Em estoque
1 500No pedido
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 154 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Ficha técnica
731Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC + 175 C 124 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Ficha técnica
725Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1 800

SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 650 V 34.7 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 800Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2 000

TOLL-8 650 V 75 mOhms
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Ficha técnica
737Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2 000

SMD/SMT LHSOF-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 141 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Ficha técnica
155Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2 000

SMD/SMT PG-LHSOF-4 N-Channel 650 V 79 A 33 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V G2
Ficha técnica
145Em estoque
2 000Esperado 16/02/2026
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2 000

SMD/SMT PG-LHSOF-4 N-Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Ficha técnica
86Em estoque
240Esperado 09/07/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Ficha técnica
218Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Ficha técnica
2 073Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1 800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 15 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Ficha técnica
1 914Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 168 A 13.1 mOhms - 7V, + 23 V 4.5 V 113 nC - 55 C + 175 C 681 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Ficha técnica
1 992Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 48.1 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Ficha técnica
5 088Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Ficha técnica
1 845Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1 800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 20 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Ficha técnica
1 853Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1 800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 50 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Ficha técnica
1 756Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Ficha técnica
1 569Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 41.4 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
Ficha técnica
282Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 53 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Ficha técnica
511Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
Ficha técnica
258Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 64 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Ficha técnica
1 178Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 210 A 8.5 mOhms - 18 V, + 18 V 5.6 V 439 nC - 55 C + 175 C 625 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Ficha técnica
364Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 158 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Ficha técnica
980Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 33 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Ficha técnica
285Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Ficha técnica
456Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 34.9 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 18 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC