650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi 650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon (Si). These 650V SiC MOSFETs have low ON resistance and a compact chip size to ensure low capacitance and gate charge. Benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

Resultados: 29
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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (EUR) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Qg - Carga na porta
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Modo de canal
Nome comercial

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Ficha técnica
1 292Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Ficha técnica
430Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms - 18 V, + 18 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Ficha técnica
1 285Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 106 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Ficha técnica
776Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Ficha técnica
569Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Ficha técnica
3 923Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 800
SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Ficha técnica
1 595Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Ficha técnica
1 812Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 66 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 291 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Ficha técnica
828Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 121 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Ficha técnica
428Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
Ficha técnica
2 720Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 262 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S
Ficha técnica
399Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 50 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 6
Ficha técnica
796Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 52 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 32MOHM 6
Ficha técnica
700Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 50 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Ficha técnica
432Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 31 A 105 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 50 nC - 55 C + 175 C 129 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 32MOHM 6
Ficha técnica
890Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 51 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S
Ficha técnica
722Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S
Ficha técnica
800Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 52 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S
Ficha técnica
411Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 67 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 245 W Enhancement
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
Ficha técnica
450Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Ficha técnica
334Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Ficha técnica
98Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Ficha técnica
395Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 163 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 643 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Ficha técnica
874Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
TO-247-4 EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Ficha técnica
384Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

TO-247-4 EliteSiC