Power Silicon Carbide Schottky Diodes

Vishay Semiconductors Power Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are advanced, high‑performance rectifiers designed to deliver exceptional efficiency, ruggedness, and reliability in demanding power‑electronics applications. Built on wide-band-gap SiC technology, these Vishay diodes offer virtually zero reverse‑recovery charge, extremely fast switching capability, and temperature‑invariant performance, making the devices ideal for next‑generation high‑frequency power conversion systems.

Resultados: 45
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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (EUR) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Configuração
If - Corrente direta
Vrrm - Tensão inversa repetitiva
Vf - Tensão no sentido direto
Ifsm - Corrente de surto no sentido direto
Ir - Corrente inversa
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Série
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2472L
Ficha técnica
500Esperado 14/08/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 10 A 1.2 kV 1.34 V 50 A 162 uA - 55 C + 175 C VS-4C10EP12LHM3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L
Ficha técnica
800Esperado 14/08/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C VS-4C12ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L
Ficha técnica
1 000Esperado 14/08/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C VS-4C12ET07THM3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2472L
Ficha técnica
500Esperado 14/08/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C VS-4C15EP12L-M3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2472L
Ficha técnica
500Esperado 14/08/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C VS-4C15EP12LHM3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L
Ficha técnica
800Esperado 14/08/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C VS-4C15ET12S2L-M3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L
Ficha técnica
800Esperado 14/08/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C VS-4C15ET12S2LHM3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L
Ficha técnica
1 000Esperado 14/08/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C VS-4C15ET12T-M3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L
Ficha técnica
1 000Esperado 14/08/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C VS-4C15ET12THM3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L
Ficha técnica
800Esperado 14/08/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L
Ficha técnica
800Esperado 14/08/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L
Ficha técnica
1 000Esperado 14/08/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16ET07T-M3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L
Ficha técnica
1 000Esperado 14/08/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16ET07THM3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2473L
Ficha técnica
500Esperado 16/03/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 10 A 650 V 1.3 V 60 A 50 uA - 55 C + 175 C VS-4C20CP07LHM3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L
Ficha técnica
800Esperado 16/03/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C VS-4C20ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L
Ficha técnica
800Esperado 16/03/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C VS-4C20ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L
Ficha técnica
1 000Esperado 16/03/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C VS-4C20ET07T-M3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L
Ficha técnica
1 000Esperado 16/03/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C VS-4C20ET07THM3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2473L
Ficha técnica
500Esperado 14/08/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C30CP07L-M3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2473L
Ficha técnica
490Esperado 14/08/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C30CP07LHM3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2473L
Ficha técnica
500Esperado 16/03/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Single 30 A 650 V 1,33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C VS-4C30E3P07L-M3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2472L
Ficha técnica
465Esperado 14/08/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30EP12L-M3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2472L
Ficha técnica
500Esperado 14/08/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30EP12LHM3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L
Ficha técnica
800Esperado 06/03/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L
Ficha técnica
800Esperado 16/03/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET07S2LHM3