RN Automotive Bias Resistor Built-in Transistors

Toshiba RN Automotive Bias Resistor Built-in Transistors (BRT) are AEC-Q101 qualified and optimized for switching, inverter circuit, interfacing, and driver circuit applications. The bias resistor is integrated, reducing the number of external parts required and decreasing system size and assembly time. The Toshiba RN Automotive Bias Resistor BRTs provide a wide resistance range to adjust to various circuit designs.

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Qtde RoHS
Toshiba Transistores digitais AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
Ficha técnica
35 170Em estoque
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Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F
Ficha técnica
9 284Em estoque
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Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F
Ficha técnica
37 637Em estoque
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Toshiba Transistores digitais AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
Ficha técnica
42 180Em estoque
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Toshiba Transistores digitais AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
Ficha técnica
5 998Em estoque
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Toshiba Transistores digitais AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)
Ficha técnica
5 985Em estoque
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Toshiba Transistores digitais AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
Ficha técnica
5 900Em estoque
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Toshiba Transistores digitais AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
Ficha técnica
2 730Em estoque
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Toshiba Transistores digitais AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
Ficha técnica
5 985Em estoque
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Toshiba Transistores digitais AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)
Ficha técnica
5 560Em estoque
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Toshiba Transistores digitais AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)
Ficha técnica
2 531Em estoque
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Toshiba Transistores digitais AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
Ficha técnica
5 980Em estoque
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Toshiba Transistores bipolares de junção - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-323 (USM)
Ficha técnica
5 458Em estoque
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Toshiba Transistores digitais AUTO AEC-Q TR PNP BRT Q1BSR=10kOhm VCEO=-50V IC=-0.1A in SOT-346 (SOT-346)
Ficha técnica
6 000Em estoque
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Toshiba Transistores bipolares de junção - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)
Ficha técnica
7 700Em estoque
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Toshiba Transistores bipolares de junção - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6)
Ficha técnica
5 644Em estoque
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Toshiba Transistores bipolares de junção - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)
Ficha técnica
7 772Em estoque
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Toshiba Transistores bipolares de junção - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6)
Ficha técnica
5 762Em estoque
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Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:3.5A PD:1.5W TSOP6F
Ficha técnica
4 724Em estoque
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Toshiba Diodos de proteção ESD/Diodos TVS AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:16.2V @1mA VESD:+/-30V IPP:2.5A IR:0.1uA SOT-323
Ficha técnica
32 405Em estoque
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Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:-40V IC:-7A PD:1.5W TSOP6F
Ficha técnica
5 911Em estoque
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Toshiba Diodos de proteção ESD/Diodos TVS AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:16.2V @1mA VESD:+/-30V IPP:2.5A IR:0.1uA SOD-323
Ficha técnica
4 515Em estoque
3 000Esperado 02/03/2026
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Toshiba Diodos de proteção ESD/Diodos TVS AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:6.5pF VBR:32V @1mA VESD:+/-20V IPP:2.5A IR:0.1uA SOD-323
Ficha técnica
9 186Em estoque
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Mín.: 1
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Bobina: 3 000

Toshiba Transistores digitais AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
Ficha técnica
6 045Em estoque
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Bobina: 8 000

Toshiba Transistores bipolares de junção - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini)
Ficha técnica
11 236Em estoque
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