TK100A10N1,S4X
Veja as especificações do produto
Fabricante.:
Descrição:
MOSFETs MOSFET NCh 3.1ohm VGS10V10uAVDS100V
Em estoque: 141
-
Estoque:
-
141 Pode ser enviado imediatamenteOcorreu um erro inesperado. Tente novamente mais tarde.
-
Tempo de entrega da fábrica:
-
20 semanas Tempo estimado de produção de fábrica para quantidades acima do indicado.
Preços (EUR)
| Qtde | Preço unitário |
Ext. Preço
|
|---|---|---|
| 4,82 € | 4,82 € | |
| 2,55 € | 25,50 € | |
| 2,37 € | 237,00 € | |
| 1,99 € | 995,00 € |
Ficha técnica
Application Notes
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- TARIC:
- 8541290000
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
Portugal
